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位置： ty8天游线路检测中心 > 产品中心 > 高压MOSFET

高压MOSFET

封装

TO-220AB TO-247 TO-252 TO-263 ITO-220AB

极性

N-Channel P-Channel

最大耗散功率PD(W)

21 22 28.4 29 31.4 31.6 32.6 33.2 33.8 35 36 41 46 56 60 69 101 131 188 260 265 322 400 435 488 490 510

漏极-源极电压VDS(V)

600 650 700 800

最大漏极漏电流ID(A)

2 3 4 5 7 8 9 11.5 15 17 21 28 38 45 53 70 73 75

漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@10v)

25@10V 30@10V 36@10V 62@10V 89@10V 110@10V 150@10V 160@10V 220@10V 260@10V 290@10V 330@10V 460@10V 480@10V 540@10V 650@10V 680@10V 750@10V 820@10V 950@10V 1100@10V 1600@10V 1800@10V 2200@10V

重置

型号规格书极性最大耗散功率PD(W) 漏极-源极电压VDS(V) 最大漏极漏电流ID(A) 阈值电压VTH(V) 漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@10v) 漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@4.5v) 漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@2.5v) 防静电能力封装

双向触发二极管

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